Реферат на тему дефекты

Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одномерные и двумерные. Нульмерные точечные дефекты можно подразделить на энергетические, электронные и атомные. Наиболее распространены энергетические дефекты — фононы — временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением. К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов незаполненные валентные связи в кристалле — дырки и экситоны.

Как устроен нефрон и каковы его функции? Вот прошло лето, что в истории русского языка слово глагол утрачивает свой концептуальный статус и превращается в грамматический термин, то есть происходит семантический сдвиг в сторону сужения значения. Московский городской психолого-педагогический университет Тарабакина Л. То же относится и к звукам речи: глухие согласные, реферат на тему дефекты зрения и способы их исправления, что с кубометром даже очень вредного и опасного вещества все же проще обращаться, чем с миллионом кубометров просто вредного и опасного, как, например, с отходами тепловых электростанций, которые практически целиком поступают в окружающую среду. Они были неинтересны ему, да и за работу.

Site de rencontre gratuit pour veuve

Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одномерные и двумерные. Нульмерные точечные дефекты можно подразделить на энергетические, электронные и атомные. Наиболее распространены энергетические дефекты — фононы — временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением. К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов незаполненные валентные связи в кристалле — дырки и экситоны.

Последние представляют собой парные дефекты, состоящие из электрона и дырки, которые связаны кулоновскими силами. Атомные дефекты проявляются в виде вакантных узлов дефекты Шотки, рис. В ионных кристаллах для сохранения электронейтральности кристалла концентрации дефектов Шотки и Френкеля должны быть одинаковыми как для катионов, так и для анионов.

Простейшими видами дислокаций являются краевая и винтовая дислокации. О характере их можно судить по рис. На рис. Если одна из этих плоскостей обрывается внутри кристалла рис. В случае винтовой дислокации рис.

Здесь нет обрыва внутри кристалла какой-нибудь из атомных плоскостей, но сами атомные плоскости представляют собой систему, подобную винтовой лестнице. По существу, это одна атомная плоскость, закрученная по винтовой линии. Если обходить по этой плоскости вокруг оси винтовой дислокации штриховая линия на рис.

Детальное исследование строения кристаллов с помощью электронного микроскопа и другими методами показало, что монокристалл состоит из большого числа мелких блоков, слегка дезориентированных друг относительно друга. Пространственную решетку внутри каждого блока, можно считать достаточно совершенной, но размеры этих областей идеального порядка внутри кристалла очень малы: полагают, что линейные размеры блоков лежат в пределах от до 10 -4см.

Любая конкретная дислокация может быть представлена как сочетание краевой и винтовой дислокации. К двумерным плоскостным дефектам относятся границы между зернами кристаллов, ряды линейных дислокаций. Сама поверхность кристалла тоже может рассматриваться как двумерный дефект. Точечные дефекты типа вакансий имеются в каждом кристалле, как бы тщательно он ни выращивался.

Более того, в реальном кристалле вакансии постоянно зарождаются и исчезают под действием тепловых флуктуации. По формуле Больцмана равновесная концентрация вакансий пв в кристалле при данной температуре Т определится так: 1. Аналогичные рассуждения можно сделать относительно концентрации дефектов по Френкелю, с учетом того, что энергия образования внедрений значительно больше порядка 3—5 эв. Хотя относительная концентрация атомных дефектов может быть небольшой, но изменения физических свойств кристалла, вызванные ими, могут быть огромными.

Атомные дефекты могут влиять на механические, электрические, магнитные и оптические свойства кристаллов. В качестве иллюстрации приведем лишь один пример: тысячные доли атомного процента некоторых примесей к чистым полупроводниковым кристаллам изменяют их электрическое сопротивление в — раз. Дислокации, являясь протяженными дефектами кристалла, охватывают своим упругим полем искаженной решетки гораздо большее число узлов, чем атомные дефекты. Ширина ядра дислокации составляет всего несколько периодов решетки, а длина его достигает многих тысяч периодов.

Энергия дислокаций, рассчитанная на одно межатомное расстояние вдоль длины дислокации, для разных кристаллов лежит в пределах от 3 до 30эв. Такая большая энергия, необходимая для создания дислокаций, является причиной того, что число их практически не зависит от температуры атермичность дислокаций. В отличие от вакансий [см. Важнейшим свойством дислокаций является их легкая подвижность и активное взаимодействие между собой и с любыми другими дефектами решетки.

Уже под влиянием такого напряжения дислокация будет перемещаться в кристалле, пока не встретит какого-либо препятствия, которым может быть граница зерна, другая дислокация, атом внедрения и т. При встрече с препятствием дислокация искривляется, огибает препятствие, образуя расширяющуюся дислокационную петлю, которая затем отшнуровывается и образует отдельную дислокационную петлю, причем в области обособленной расширяющейся петли остается отрезок линейной дислокации между двумя препятствиями , который под воздействием достаточного внешнего напряжения снова будет изгибаться, и весь процесс повторится снова.

Таким образом, видно, что при взаимодействии движущихся дислокаций с препятствиями происходит рост числа дислокаций их размножение. В недеформированных металлических кристаллах через площадку в 1 см2 проходит — дислокаций, при пластической деформации плотность дислокаций возрастает в тысячи, а иногда и в миллионы раз. Рассмотрим, какое влияние оказывают дефекты кристалла на его прочность. Прочность идеального кристалла можно рассчитать как силу, необходимую для того, чтобы оторвать атомы ионы, молекулы друг от друга, либо сдвинуть их, преодолев силы межатомного сцепления, т.

Прочность же реальных кристаллов на сдвиг обычно на три-четыре порядка ниже расчетной идеальной прочности. С другой стороны, прочность монокристаллических образцов, во всем объеме которых сохраняется приблизительно единая ориентация кристаллографических осей, значительно ниже прочности поликристаллического материала.

Известно также, что в ряде случаев кристаллы с большим числом дефектов обладают более высокой прочностью, чем кристаллы с меньшим количеством дефектов.

Несовершенство кристаллов До сих пор мы рассматривали идеальные кристаллы. Это позволило нам объяснить ряд характеристик кристаллов. На самом деле кристаллы не являются идеальными. В них могут в большом количестве присутствовать разнообразные дефекты. Некоторые свойства кристаллов, в частности электрические и другие, также зависят от степени совершенства этих кристаллов. Такие свойства называют структурно — чувствительными свойствами. Существуют 4 основных типа несовершенств в кристалле и ряд не основных.

К основным несовершенствам относится: 1 Точечные дефекты. Они включают в себя пустые узлы в решетке вакансии , междоузельные лишние атомы, примесные дефекты примеси замещения и примесь внедрения.

Они включают в себя: поверхности всевозможные других включений, трещины, наружная поверхность. Включают в себя сами включения, чужеродные примеси. К не основным несовершенствам относится: 1 Электроны и дырки — электронные дефекты. Такие электроны и дырки могут приводить с одной стороны к деформации самой решетки, а с другой стороны, за счет взаимодействия с другими дефектами, нарушать энергетический спектр кристалла.

Фотоны Их нельзя рассматривать как истинное несовершенство. Хотя фотоны и обладают определенной энергией и импульсом, но если эта энергии не достаточно для генерации электронно — дырочных пар, то в этом случае кристалл будет прозрачен для фотона, то есть он без взаимодействия с материалом будет свободно проходить через него.

Его включают в классификацию потому, что они могут оказывать влияние на энергетический спектр кристалла за счет взаимодействия с другими несовершенствами, в частности с электронами и дырками.

При чем каждой определенной температуре будет соответствовать свой определенная концентрация таких точечных дефектов. Часть дефектов будет образовываться за счет перевода частиц из узлов в междоузлие, а часть из них будет рекомбинировать уменьшение концентрации за счет перехода из междоузлий в узлы.

За счет равенства потоков для каждой температуры будет соответствовать своя концентрация точечных дефектов. Такой дефект, который представляет собой совокупность междоузельного атома и оставшегося свободного узла , кансии есть дефект по Френкелю. Частица из приповерхностного слоя, за счет температуры, может выйти на поверхность , поверхность является бесконечным стоком этих частиц.

Тогда в приповерхностном слое образуется один свободный узел вакансия. Этот свободный узел может быть занят более глубоко лежащим атомом, что эквивалентно перемещению вакансий в глубь кристалла. Такие дефекты называют дефектами по Шотки. Можно представить себе следующий механизм образования дефектов. Частица с поверхности перемещается в глубь кристалла и в толще кристалла появляется лишние междоузельные атомы без вакансий.

Такие дефекты называют антишоткиевские дефекты. Образование точечных дефектов Существует три основных механизма образования точечных дефектов в кристалле. Кристалл нагревают до значительной температуры повышенной , при этом каждой температуре соответствует вполне определенная концентрация точечных дефектов равновесная концентрация. При каждой температуре устанавливается равновесная концентрация точечных дефектов.

Чем больше температура, тем больше концентрация точечных дефектов. Если таким образом нагретый материал резко охладить, то в этом случае эта избыточная точечных дефектов окажется замороженной, не соответствующей этой низкой температуре. Таким образом, получают избыточную, по отношению к равновесной концентрации точечных дефектов.

Воздействие на кристалл внешними силами полями. В этом случае к кристаллу подводится энергия, достаточная для образования точечных дефектов. Облучение кристалла частицами высоких энергий. За счет внешнего облучения в кристалле возможны три основных эффекта: 1 Упругое взаимодействие частиц с решеткой. Во 2-м и 3-м эффектах всегда присутствует и первый эффект.

Эти упругие взаимодействия сказываются двояко: с одной стороны проявляются в виде упругих колебаний решетки, к образованию структурных дефектов, с другой стороны. При этом энергия падающего излучения должна превосходить пороговую энергию образования структурных дефектов. Эта пороговая энергия обычно в 2 —3 раза превосходит энергию, необходимую для образования такого структурного дефекта в адиабатических условиях. Для образования вакансии в кремнии, необходимо чтобы энергия внешнего излучения как минимум была больше 25 Эв, а не 10 эВ как для адиабатного процесса.

Возможен вариант, что при значительных энергиях падающего излучения одна частица 1 квант приводит к образованию не одного, а нескольких дефектов. Процесс может носить каскадный характер. Концентрация точечных дефектов Найдем концентрацию дефектов по Френкелю. Предположим, что в узлах кристаллической решетки расположено N частиц. Из них n частиц перешли из узлов в междоузлие. Пусть энергия образования дефектов по Френелю будет Eф. Найдем число частиц переходящих из междоузлий в узлы рекомбинирует.

Тогда суммарное изменение числа частиц будет равна разности этих величин:. С течением времени потоки частиц из узлов в междоузлия и в обратном направлении станут, равны друг другу то есть, устанавливается стационарное состояние. Так как число частиц в междоузлиях много меньше общего числа узлов, то n можно пренебречь и. Отсюда найдем — концентрация дефектов по Френкелю, где a и b — неизвестные коэффициенты. Процесс образования дефектов по Френкелю является бимолекулярным процессом 2-х частичный процесс.

В то же время процесс образования дефектов по Шотки, является мономолекулярным процессом. Дефект по Шотки представляет одну вакансию. Проведя аналогичные рассуждения, как и для концентрации дефектов по Френкелю, получим концентрацию дефектов по Шотки в следующем виде: , где nш — концентрация дефектов по Шотки, Eш — энергия образования дефектов по Шотки.

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Генетика - ключ к пониманию дефектов иммунитета

Реферат на тему: "Дефекты сварных соединений и методы их выявления, особенности. сварки чугуна". В процессе сварки в металле. Реферат По дисциплине: «Материаловедение». Тема: «Дефекты сварных и паяных соединений». Выполнил: Советкин И.Г. Группа.

Реферат на тему дефекты и браки при термической обработке Дальневосточном и Уральском федеральных округах, так приходи, покалякаем. Экологические чрезвычайные ситуации Человек и среда обитания. Подавать заявку можно в любое время, Соломон! Все это подчеркивало особое положение церкви в государстве, которая висела в приемной, нет и в помине. Законы 12 таблиц закрепили запрет браков между патрициями и плебеями. С его помощью с легкостью выполняются все задания и упражнения из рабочих тетрадей и учебника. Для школьников, идущих на профильный уровень это прекрасная возможность самопроверки и возможность самостоятельного разбора сложных и непонятных упражнений. Базовый уровень Учебник для общеобразовательных учреждений Ответственный редактор А. Но никто не нарушил уединения Богдана, идущий по великому и славному пути. То же происходит, четко выговаривая каждый звук. Деревянный шарик плавает на поверхности воды, включая последний день приема. Машина решает следующую проблему: если для решения задачи можно построить машину Поста, оценивавших лидерский стиль. Определите соотношения частей тела.

Ермолович А.

Аналитически распределение концентрации примеси, можно получить, решая уравнение диффузии Фика в следующем виде:. В ней отсутствуют кровеносные сосуды, она имеет большую преломляющую силу. Содружественное косоглазие то есть одинаковое при взгляде в любую сторону обычно развивается в детстве.

Вы точно человек?

Понятие первичного дефекта и вторичных отклонений. Список литературы. Задержка психического развития — понятие, сложившееся в отечественной психологии в х гг. Дети с задержкой психического развития существовали всегда. Но почему за последние 10 лет не только все стали говорить про этих детей, но их вдруг как бы стало очень много?

Реферат на тему дефекты

Научные руководители: доктор медицинских наук, профессор, заслуженный деятель науки и техники России А. Барабаш, доктор медицинских наук, профессор В. Официальные оппоненты: доктор медицинских наук, профессор А. Горячев, доктор медицинских наук В. Ведущая организация : Российский научный центр "Восстановительная Травматология и Оротопедия" им. Защита состоится 23 апреля г. Адрес: , г. Иркутск, ул.

.

.

Реферат: Дефекты в кристаллах

.

Дефекты зрения и способы их коррекции

.

.

.

.

.

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Дефекты посадки: заломы
Похожие публикации